એક ધાતુની સપાટીને પહેલા $\lambda_1 = 350 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે અને ત્યારબાદ $\lambda_2 = 540 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. એવું જોવા મળે છે કે બંને કિસ્સાઓમાં ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $2$ ના ગુણાંકમાં અલગ પડે છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ($eV$ માં) આશરે કેટલું હશે? (ફોટોનની ઉર્જા $= \frac{1240}{\lambda \text{ (} nm \text{ માં)}} \ eV$)

જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $50 \, cm$ ના અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V_0$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને સેલથી $1 \, m$ ના અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

જ્યારે કોઈ ધાતુની સપાટી પર ચોક્કસ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનને $3 \ V$ ના રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા સંપૂર્ણપણે અટકાવવામાં આવે છે. આ ધાતુની સપાટી પર ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર $6 \times 10^{14} \ s^{-1}$ ની આવૃત્તિએ શરૂ થાય છે. આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $s^{-1}$ માં કેટલી હશે? [પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.4 \times 10^{-34} \ J \cdot s$,ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$]

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર (photoelectric effect) માં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ એક સીધી રેખા છે. આ આલેખનો ઢાળ (slope) . . . . . . છે.

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \; V$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $v_{\text{max}}$ અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ વચ્ચેનો આલેખ નીચેનામાંથી કયા દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવ્યો છે?